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Guias e Dicas
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Polarização CC e CA do Transistor Bipolar de Junção (TBJ), Esquemas de Engenharia Militar

Uma série de experimentos realizados com o objetivo de analisar a polarização em corrente contínua (cc) e corrente alternada (ca) do transistor bipolar de junção (tbj). Ao longo dos experimentos, são calculadas e analisadas diversas grandezas elétricas, como correntes, tensões e ganhos, tanto em simulação quanto teoricamente. O documento abrange tópicos fundamentais da eletrônica analógica, como polarização de transistores, análise de circuitos amplificadores e parâmetros de desempenho de amplificadores. Essa documentação pode ser útil para estudantes de engenharia elétrica e eletrônica, tanto em nível de graduação quanto de pós-graduação, que buscam aprofundar seus conhecimentos sobre o funcionamento e a caracterização de transistores bipolares.

Tipologia: Esquemas

2019

Compartilhado em 30/11/2022

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jose-ediglei-gomes-de-lira-filho 🇧🇷

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UNIDADE ACADÊMICA DA ÁREA DE INDÚSTRIA
CURSO SUPERIOR DE ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAÇÃO
DISCIPLINA DE ELETRÔNICA I
PROF. GERÔNIMO BARBOSA
ATIVIDADE 02 - POLARIZAÇÃO CC E CA DO TBJ
JOSÉ EDIGLEI GOME DE LIRA FILHO
ALBERTINO FERREIRA DE LIMA NETO
CAJAZEIRAS – PB
2022
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Baixe Polarização CC e CA do Transistor Bipolar de Junção (TBJ) e outras Esquemas em PDF para Engenharia Militar, somente na Docsity!

UNIDADE ACADÊMICA DA ÁREA DE INDÚSTRIA CURSO SUPERIOR DE ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAÇÃO DISCIPLINA DE ELETRÔNICA I PROF. GERÔNIMO BARBOSA ATIVIDADE 02 - POLARIZAÇÃO CC E CA DO TBJ JOSÉ EDIGLEI GOME DE LIRA FILHO ALBERTINO FERREIRA DE LIMA NETO CAJAZEIRAS – PB 2022

Experimento 01 Simulação Teórico Ib 29,790 uA 0,00003 A Ic 3,5748 mA 0,00360 A Ie 0 V 0 A Vb 12,302V 0,7 V Vc 9,5654 V 6,48 V Ve 11,495V 0 V Vce 16V 9,52 V Vbe 0,

  1. 0,00749 A
  2. 30uA

Experimento 03 Simulação Teórico Ib 227,60 uA 21.42 A Ic 1,6014 mA 1.71 mA Ie -1,6214 mA 0,0017334 A Vb 1,8840 V 5,778 V Vc 9,7544 V 9.33 V Ve 1,1026 V 1.16 V Vce 1,032 V 8.17 V Vbe 3,504 V 1.86 V

b) I I=( 80 )(21.42 A)=1.71mA (c) V =VCC CQ I (RC+ ℜ)= 16 V (1.71 mA)(3.9 k+ 0.68 k )=8.17 V

  1. Ic=0,001712 A b) Ic= 1,6763 mA

c) 4,677% Ic x Vce Experimento 04 Simulação Teórico Ib 17,873 uA 0,00001798 A Ic 2,1626 mA 0,00216 A Ie 2,1626 mA 0,002178 A Vb 3,3891 V 3,3136 V Vc 8,2147 V 7,776 V Ve 2,5951 V 2,6136 V Vce 5, Vbe 7,3843 V

Experimento 06 Simulação Teórico Ib 9,1772 uA 9,26 μA Ic 734,17 uA 0,741 mA Ie 743,35 uA 0,000753 A Vb -83,512 mV 17,11 V Vc 16 V 6,964 V Ve -849,73 mV 11,3 V Vce 9,736 V Vbe 14,205 V

Experimento 07 Simulação Teórico Ib 29,790 uA 3 μA Ic 3,5748 mA (^360) mA Ie (^0) 3,44 mA Vb 10,86V Vc 9,5654 V 4,48 V Ve 3,78 V Vce 9,52 V Vbe 7,32 V Experimento 8 a)

AV =

−RC

re

− 4700 kΩ 2600 Ω

Experimento 9 a ¿ 22,44 μA I (^) E =( 110 + 1 )(22,44 μA)=2,49 mA re=¿= 26 mV 2,49 mA

AVNL=

− 3 kΩ 10,44 kΩ+0,82 kΩ

Zi =¿ 680 kΩ∨¿( 610 )(10,44 Ω)+( 110 + 1 )(0,82 kΩ) ¿ 680 kΩ∨¿ 92,17 kΩ ¿ 81,17 kΩ Z 0 RC= 3 kΩ c ¿ AVNL= 4,7 kΩ(−3,61) 4,7 kΩ+ 3 kΩ

AVS =

V 0

V S

V 0

V (^) i

V (^) i V (^) S V (^) i= 81,17 kΩ(V (^) S ) 81,17 kΩ+0,6 kΩ

=0,992V S

AVS =(−2,2)(0,992)=−2,

d ¿ Não teremos efeito algum sobre AVNL , Zi , Z 0. e ¿ AVL−Sem resultados encontrados. V (^) i V (^) S

81,17 kΩ 81,17 kΩ+0,6 kΩ

AVS =(−2,2)(0,988)=−2,

f ¿ Ai=(−2,2) ( 81,17 kΩ) 4,7 kΩ

Experimento 10 a ¿ Av 1 NL= 1,2 kΩ 1,2 kΩ+ 20 Ω

Av 2 NL= 2,2 kΩ 2,2 kΩ+ 4,6 kΩ

b ¿ AvL=(0,984 )(−207,06)=−203, Avs= 50 kΩ 50 kΩ+ 1 kΩ

c ¿ Ai 1 =−( 0,984) ( 50 kΩ) 1,2 kΩ

Ai 2 =−(−207,06) (1,2 kΩ) 1,2 kΩ

d ¿ A ¿iL=−(−203,74) ( 50 kΩ) 2,2 kΩ =4,63 x 10 3 e ¿ A carga como configurado no emissor contribuirá para a resistência do emissor diminuindo seu valor, afetando Zi e reduzindo sua magnitude.